Characteristics of CIGS
铜铟镓硒特点
温度系数低
CIGS具有较低的温度系数，其组件功率的温度系数为-0.38%/K，优于晶硅电池组件的温度系数。
发电效率高
CIGS 是已知光吸收系数（达到105/cm）最高的材料，而且是一种直接带隙半导体材料。
具有独特的Na效应
对于硅系半导体，玻璃中大量的Na离子是其恐怖的性能杀手，而在CIGS 太阳能电池中，微量Na可大幅度地改善薄膜的结晶形貌和电学传输性能，从而提高太阳能电池的转换效率和成品率，所以可以使用价格低廉、热膨胀系数接近的钠钙玻璃作为电池的基板。
光学带隙可调
Ga替代In形成CuIn1-xGaxSe2固溶体，可以使半导体的禁带宽度在1.04～1.65eV间变化，非常适合于调整和优化禁带宽度，与太阳光谱进行最佳匹配。CIGS太阳能电池的这种带隙特点是相对于硅基和碲化镉基电池的最大优势。
性能稳定
CIGS 抗辐射能力强，没有光致衰退效应。有实验结果表明，CIGS 薄膜电池经过电子与质子辐照、温度交变、振动、加速度冲击等试验后，证明抗辐照性能好，光电转换效率几乎无衰退。另外，CIGS电池不存在光致衰退问题，光照可以提高太阳能电池的转换效率，因此该类太阳能电池的工作寿命长。
弱光性能好
在阴天或阴暗气候条件下，CIGS薄膜电池比其它太阳能电池产品会产生更多电能，这表明CIGS电池不仅在阳光下具有较高的转换效率，而且其弱光特性是其它种类电池所无法比拟的，因此对于高纬度地区以及气候条件不理想的地区更能显示其优异性能。
CIGS具有更高发电量